全球DRAM內(nèi)存芯片主要壟斷在三星、SK海力士及美光手里，三家的份額高達95%，同時技術(shù)也是領先的，美光前不久更是搶先宣布量產(chǎn)1β內(nèi)存芯片，這是當前最先進的內(nèi)存芯片。

內(nèi)存工藝進入20nm節(jié)點之后，廠商的命名已經(jīng)發(fā)生了變化，都被稱為10nm級內(nèi)存，但有更細節(jié)的劃分，之前是1x、1y 和 1z三代，后面是1α，1β，1γ。

在1α，1β，1γ這三代中，三星在1α上就開始用EUV光刻工藝，但是代價就是成本高，美光現(xiàn)在量產(chǎn)的1β工藝就是最先進的。

1β到底相當于多少nm？美光日前在日本舉行了一次溝通會，介紹了1β內(nèi)存的一些進展，指出它的工藝水平相當于13nm，而且美光依然沒有使用EUV工藝，避免了昂貴的光刻機。

不使用EUV光刻，美光在1β內(nèi)存上使用的主要是第二代HKMG工藝、ArF浸液多重光刻等工藝，實現(xiàn)了35%的存儲密度提升，同時省電15%。

1β之后還有1γ工藝，估計會是12nm級別，制造難度更大，但美光依然沒有明確是否使用EUV光刻機，他們的目標很可能是繼續(xù)使用現(xiàn)有工藝改進，避免EUV光刻機的成本。